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74AHCT1G66GW產(chǎn)品應(yīng)用圖解:
74AHCT1G66GW產(chǎn)品封裝圖一
NXP產(chǎn)品 - 74AHCT1G66GW介紹
74AHCT1G66GW - 單刀單擲模擬開(kāi)關(guān)

74AHCT1G66GW是NXP公司的一款模擬開(kāi)關(guān)產(chǎn)品,74AHCT1G66GW是單刀單擲模擬開(kāi)關(guān),本站介紹了74AHCT1G66GW的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等,并給出了與74AHCT1G66GW相關(guān)的NXP元器件型號(hào)供參考。

74AHCT1G66GW - 單刀單擲模擬開(kāi)關(guān) - 模擬開(kāi)關(guān) - 邏輯 - 恩智浦, LLC

產(chǎn)品描述

74AHC1G66和74AHCT1G66是高速硅柵CMOS器件。它們是單刀單擲模擬開(kāi)關(guān)。該開(kāi)關(guān)具有兩個(gè)輸入/輸出引腳(Y和Z)以及一個(gè)有源高電平使能輸入引腳(E)。引腳E為低電平時(shí),模擬開(kāi)關(guān)會(huì)被關(guān)斷。

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)
  • 極低導(dǎo)通電阻:
    • 26 Ω(典型值)(VCC = 3.0 V時(shí))
    • 16 Ω(典型值)(VCC = 4.5 V時(shí))
    • 14 Ω(典型值)(VCC = 5.5 V時(shí))
  • 高抗噪性
  • 低功耗
  • 平衡的傳輸延遲
  • 多個(gè)封裝選項(xiàng)
  • ESD保護(hù):
    • HMB JESD22-A114E超過(guò)2000 V
    • MM JESD22-A115-A超過(guò)200 V
    • CDM JESD22-C101C超過(guò)1000 V
  • 指定溫度范圍為-40℃至+85℃以及-40℃至+125℃
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