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74AUP1G373GW產品封裝圖一
NXP產品 - 74AUP1G373GW介紹
74AUP1G373GW - 低壓D型透明鎖存器;3態(tài)

74AUP1G373GW是NXP公司的一款鎖存產品,74AUP1G373GW是低壓D型透明鎖存器;3態(tài),本站介紹了74AUP1G373GW的封裝應用圖解、特點和優(yōu)點、功能等,并給出了與74AUP1G373GW相關的NXP元器件型號供參考。

74AUP1G373GW - 低壓D型透明鎖存器;3態(tài) - 鎖存 - 邏輯 - 恩智浦, LLC

產品描述

74AUP1G373提供帶3態(tài)輸出的單路D型透明鎖存器。鎖存使能(LE)輸入為高電平時,Q輸出跟隨數(shù)據(jù)(D)輸入。針腳LE為低電平時,鎖存器存儲針腳LE從高電平躍遷至低電平前的一個設置時間在D輸入處出現(xiàn)的信息。針腳OE為低電平時,鎖存器的內容可在輸出處獲取。針腳OE為高電平時,輸出轉為高阻抗關斷狀態(tài)。輸入針腳OE的操作不會影響鎖存器的狀態(tài)。

所有輸入處的施密特觸發(fā)器動作使電路容許整個0.8 V至3.6 V VCC范圍內較慢的輸入上升和下降時間。

該器件可確保整個0.8 V至3.6 V VCC范圍內的極低靜態(tài)和動態(tài)功耗。

該器件完全適合使用IOFF的局部掉電應用。IOFF電路可禁用輸出,防止掉電時破壞性回流電流通過該器件。

產品特性和優(yōu)勢
  • 0.8 V至3.6 V的寬電源電壓范圍
  • 高抗噪性
  • 符合JEDEC標準:
    • JESD8-12(0.8 V至1.3 V)
    • JESD8-11(0.9 V至1.65 V)
    • JESD8-7(1.2 V至1.95 V)
    • JESD8-5(1.8 V至2.7 V)
    • JESD8-B(2.7 V至3.6 V)
  • ESD保護:
    • HBM JESD22-A114F 3A類超過5000 V
    • MM JESD22-A115-A超過200 V
    • CDM JESD22-C101-E超過1000 V
  • 低靜態(tài)功耗;ICC = 0.9 μA(最大)
  • 閉鎖性能超過100 mA,符合JESD 78 II類標準
  • 輸入可接受高達3.6 V的電壓
  • 低噪聲過沖和欠沖,小于VCC的10 %
  • IOFF電路提供局部掉電模式操作
  • 多種封裝選擇
  • 額定溫度范圍為-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
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