74HC299；74HCT299是高速硅柵CMOS器件，與低功耗肖特基TTL (LSTTL)針腳兼容。該類器件的規(guī)格符合JEDEC標準no. 7A。

74F299包含八個邊沿觸發(fā)D型觸發(fā)器和執(zhí)行同步右移、左移、并行負載和保持操作所必需的級間邏輯。操作由模式選擇輸入S0和S1確定。

針腳I/O0至I/O7是觸發(fā)器3態(tài)緩沖器輸出，這允許它們在并行負載模式中用作數(shù)據(jù)輸入。串行輸出Q0和Q7用于在較長字的串行位移中實現(xiàn)擴展。

MR異步主復位輸入上的低電平信號覆蓋Sn和時鐘CP輸入并復位觸發(fā)器。所有其他狀態(tài)變化由時鐘脈沖的上升沿啟動。只要遵照建議的設置和保持時間，時鐘處于任意狀態(tài)時輸入都可能發(fā)生變化。

3態(tài)輸出使能輸入OE1或OE2上的高電平信號會禁用3態(tài)緩沖器且I/On輸會被置于高阻抗關斷狀態(tài)。在這種情況下，準備并行負載操作時移位、保持、負載和復位操作仍會發(fā)生。3態(tài)緩沖器還可由S0和S1上的高電平信號禁用。

• 多路復用輸入/輸出提供更高的位密度
• 四種工作模式：
  • 左移
  • 右移
  • 保持（存儲）
  • 加載數(shù)據(jù)
• 工作時采用輸出使能或處于高阻抗關斷狀態(tài)(Z)
• 3態(tài)輸出直接驅動總線線路
• 可級聯(lián)n位字長
• ESD保護：
  • HBM JESD22-A114E超過2000 V
  • MM JESD22-A115-A超過200 V
• 額定溫度范圍為-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C