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74LVC1G66產(chǎn)品應(yīng)用圖解:
74LVC1G66產(chǎn)品封裝圖一
74LVC1G66產(chǎn)品封裝圖二
74LVC1G66產(chǎn)品封裝圖三
74LVC1G66產(chǎn)品封裝圖四
74LVC1G66產(chǎn)品封裝圖五
NXP產(chǎn)品 - 74LVC1G66介紹
74LVC1G66 - 雙向開關(guān)

74LVC1G66是NXP公司的一款模擬開關(guān)產(chǎn)品,74LVC1G66是雙向開關(guān),本站介紹了74LVC1G66的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等,并給出了與74LVC1G66相關(guān)的NXP元器件型號供參考。

74LVC1G66 - 雙向開關(guān) - 模擬開關(guān) - 邏輯 - 恩智浦, LLC

產(chǎn)品描述

74LVC1G66是低功耗、低電壓硅柵CMOS器件。

74LVC1G66提供一個(gè)單刀單擲模擬開關(guān)功能。該開關(guān)具有兩個(gè)輸入/輸出終端(Y和Z)以及一個(gè)有源高電平使能輸入引腳(E)。E為低電平時(shí),模擬開關(guān)會被關(guān)斷。

使能輸入的施密特觸發(fā)器動作使電路在1.65 V至5.5 V的整個(gè)VCC范圍內(nèi)容許較緩慢的輸入上升時(shí)間和下降時(shí)間。

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢
  • 1.65 V至5.5 V的寬電源電壓范圍
  • 極低導(dǎo)通電阻:
    • 7.5 Ω(典型值)(VCC = 2.7 V時(shí))
    • 6.5 Ω(典型值)(VCC = 3.3 V時(shí))
    • 6 Ω(典型值)(VCC = 5 V時(shí))
  • 32 mA的開關(guān)電流能力
  • 高抗噪性
  • CMOS低功耗
  • 3.3 V時(shí)的TTL接口兼容性
  • 鎖存性能滿足JESD78 I類的要求
  • ESD保護(hù):
    • HBM JESD22-A114E超過2000 V
    • MM JESD22-A115-A超過200 V
  • 使能輸入可接受最高達(dá)5.5 V的電壓
  • 多個(gè)封裝選項(xiàng)
  • 指定溫度范圍為-40 °C至+85 °C以及-40 °C至+125 °C
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