74LVC823A是高性能、低功耗、低電壓、硅柵CMOS器件，性能優(yōu)于最先進(jìn)的CMOS可兼容TTL系列。

輸入可從3.3 V器件或5 V器件驅(qū)動。在三態(tài)操作中，輸出可處理5 V。該特性允許在3.3 V和5 V混合電壓環(huán)境中將這些器件用作轉(zhuǎn)換器。

74LVC823A是9位D類觸發(fā)器，具有通用時鐘（引腳CP）、時鐘使能（引腳CE）、主復(fù)位（引腳MR）以及用于總線應(yīng)用的三態(tài)輸出（引腳Qn）。只要引腳CE為低電平，9個觸發(fā)器就會存儲它們各自的D輸入狀態(tài)，滿足CP從低到高轉(zhuǎn)換的建立和保持時間要求。引腳CE為高電平時，這些觸發(fā)器會保持它們的數(shù)據(jù)。引腳MR上的低電平會復(fù)位所有觸發(fā)器。引腳OE為低電平時，9個觸發(fā)器的內(nèi)容在輸出處可用。引腳OE為高電平時，輸出會進(jìn)入高阻抗關(guān)斷狀態(tài)。OE輸入的操作不會影響觸發(fā)器的狀態(tài)。

• 與5 V邏輯器件連接的5 V容壓輸入/輸出
• 1.2 V至3.6 V的寬電源電壓范圍
• 輸入接受高達(dá)5.5 V的電壓
• CMOS低功耗
• 直接與TTL電平連接
• 直通引腳排列架構(gòu)
• 9位正沿觸發(fā)寄存器
• 獨立寄存器和三態(tài)緩沖器操作
• 符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)JESD8-B/JESD36
• ESD保護(hù)：
  • HBM EIA/JESD22-A114-B超過2000 V
  • MM EIA/JESD22-A115-A超過200 V。
• 指定溫度范圍為-40 °C至+85 °C以及-40 °C至+125 °C。