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74LVCV2G66DP技術(shù)文檔下載：
74LVCV2G66DP產(chǎn)品應(yīng)用圖解：
74LVCV2G66DP - 過(guò)壓容限雙向開(kāi)關(guān)
74LVCV2G66DP是NXP公司的一款模擬開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，74LVCV2G66DP是過(guò)壓容限雙向開(kāi)關(guān)，本站介紹了74LVCV2G66DP的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等，并給出了與74LVCV2G66DP相關(guān)的NXP元器件型號(hào)供參考。
74LVCV2G66DP - 過(guò)壓容限雙向開(kāi)關(guān) - 模擬開(kāi)關(guān) - 邏輯 - 恩智浦, LLC
產(chǎn)品描述
74LVCV2G66是低功耗低電壓的高速硅柵CMOS器件。
74LVCV2G66提供兩個(gè)單刀單擲模擬或數(shù)字開(kāi)關(guān)。每個(gè)開(kāi)關(guān)都包括一個(gè)過(guò)壓容限輸入/輸出端子（針腳nZ）、一個(gè)輸出/輸入端子（針腳nY）和低功耗高電平有效使能輸入（針腳nE）。
過(guò)壓容限開(kāi)關(guān)端子允許切換超過(guò)VCC的信號(hào)。使用電壓遠(yuǎn)低于VCC的控制邏輯信號(hào)時(shí)，低功耗使能輸入無(wú)需在便攜式應(yīng)用中使用限流電阻。這些輸入也為過(guò)壓容限。
產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)
- 2.3 V至5.5 V的寬電源電壓范圍
- 超低功耗運(yùn)行
- 極低導(dǎo)通電阻：
- VCC = 2.7 V時(shí)，8.0 ?（典型值）
- VCC = 3.3 V時(shí)，7.5 ?（典型值）
- VCC = 5.0 V時(shí)，7.3 ?（典型值）。
- 5 V容壓輸入，可實(shí)現(xiàn)與5 V邏輯的接合
- 高抗噪性
- 32 mA的開(kāi)關(guān)處理能力
- CMOS低功耗
- 閉鎖性能超過(guò)250 mA
- 集成有過(guò)壓容限模擬開(kāi)關(guān)技術(shù)
- 無(wú)論VCC如何，開(kāi)關(guān)都可接收高達(dá)5.5 V的電壓
- 多種封裝選擇
- 額定溫度范圍為–40 ℃至+85 ℃和–40 ℃至+125 ℃
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