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BLF10M6LS200產(chǎn)品應(yīng)用圖解：
BLF10M6LS200產(chǎn)品封裝圖一
NXP產(chǎn)品 - BLF10M6LS200介紹
BLF10M6LS200 - 功率LDMOS晶體管

BLF10M6LS200是NXP公司的一款RF Energy產(chǎn)品，BLF10M6LS200是功率LDMOS晶體管，本站介紹了BLF10M6LS200的封裝應(yīng)用圖解、特點和優(yōu)點、功能等，并給出了與BLF10M6LS200相關(guān)的NXP元器件型號供參考。

BLF10M6LS200 - 功率LDMOS晶體管 - RF Energy - RF功率晶體管 - 恩智浦, LLC

產(chǎn)品描述

200 W LDMOS功率晶體管，適合700 MHz至1000 MHz頻率范圍的ISM應(yīng)用。

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢
  • 方便的功率控制
  • 集成ESD保護
  • 極佳的強度
  • 高效率
  • 極佳的熱穩(wěn)定性
  • 設(shè)計用于寬帶操作（700 MHz至1000 MHz）
  • 內(nèi)部匹配，便于使用
  • 符合歐盟2002/95/EC危害性物質(zhì)限制(RoHS)指令
產(chǎn)品應(yīng)用
  • 適合700 MHz至1000 MHz頻率范圍內(nèi)ISM應(yīng)用的RF功率放大器
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