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BLF6G10LS-200RN技術(shù)文檔下載：
BLF6G10LS-200RN產(chǎn)品應(yīng)用圖解：
BLF6G10LS-200RN - 功率LDMOS晶體管
BLF6G10LS-200RN是NXP公司的一款RF功率晶體管產(chǎn)品，BLF6G10LS-200RN是功率LDMOS晶體管，本站介紹了BLF6G10LS-200RN的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等，并給出了與BLF6G10LS-200RN相關(guān)的NXP元器件型號(hào)供參考。
BLF6G10LS-200RN - 功率LDMOS晶體管 - RF功率晶體管 - RF MMIC放大器與混頻器 - 恩智浦, LLC
產(chǎn)品描述
200 W LDMOS功率晶體管，適合700 MHz至1000 MHz頻率范圍的基站應(yīng)用
產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)
- 方便的功率控制
- 集成ESD保護(hù)
- 增強(qiáng)的強(qiáng)度
- 高效率
- 極佳的熱穩(wěn)定性
- 設(shè)計(jì)用于寬帶操作（700 MHz至1000 MHz）
- 內(nèi)部匹配，便于使用
- 符合歐盟2002/95/EC危害性物質(zhì)限制(RoHS)指令
產(chǎn)品應(yīng)用
- 適用于GSM、GSM EDGE、W-CDMA和CDMA基站的RF功率放大器。
- 700 MHz至1000 MHz頻率范圍內(nèi)的多載波應(yīng)用
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