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BLF8G10L(S)-160產(chǎn)品應(yīng)用圖解：
BLF8G10L(S)-160產(chǎn)品封裝圖一
BLF8G10L(S)-160產(chǎn)品封裝圖二
NXP產(chǎn)品 - BLF8G10L(S)-160介紹
BLF8G10L(S)-160 - 功率LDMOS晶體管

BLF8G10L(S)-160是NXP公司的一款RF功率晶體管產(chǎn)品，BLF8G10L(S)-160是功率LDMOS晶體管，本站介紹了BLF8G10L(S)-160的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等，并給出了與BLF8G10L(S)-160相關(guān)的NXP元器件型號供參考。

BLF8G10L(S)-160 - 功率LDMOS晶體管 - RF功率晶體管 - RF MMIC放大器與混頻器 - 恩智浦, LLC

產(chǎn)品描述

160 W LDMOS功率晶體管，適用于920 MHz至960 MHz頻率范圍的基站應(yīng)用。

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢
  • 極佳的強(qiáng)度
  • 高效率
  • 低Rth提供極佳的熱穩(wěn)定性
  • 主要用于寬帶操作（920 MHz至960 MHz）
  • 更低的輸出電容提升了Doherty應(yīng)用的性能
  • 主要用于降低記憶效應(yīng)以提供極佳預(yù)失真能力
  • 內(nèi)部匹配以方便使用
  • 集成ESD保護(hù)
  • 符合有害物質(zhì)限制(RoHS) Directive 2002/95/EC
產(chǎn)品應(yīng)用
  • W-CDMA基站RF功率放大器
  • 920 MHz 至960 MHz頻率范圍內(nèi)的多載波應(yīng)用
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