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BLP8G27-10產(chǎn)品應(yīng)用圖解：
BLP8G27-10產(chǎn)品封裝圖一
NXP產(chǎn)品 - BLP8G27-10介紹
BLP8G27-10 - Power LDMOS transistor

BLP8G27-10是NXP公司的一款RF功率晶體管產(chǎn)品，BLP8G27-10是Power LDMOS transistor，本站介紹了BLP8G27-10的封裝應(yīng)用圖解、特點和優(yōu)點、功能等，并給出了與BLP8G27-10相關(guān)的NXP元器件型號供參考。

BLP8G27-10 - Power LDMOS transistor - RF功率晶體管 - RF MMIC放大器與混頻器 - 恩智浦, LLC

產(chǎn)品描述

10 W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700MHz to 2700 MHz.

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢
  • High efficiency
  • Excellent ruggedness
  • Designed for broadband operation
  • Excellent thermal stability
  • High power gain
  • Integrated ESD protection
  • Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)
產(chǎn)品應(yīng)用
  • CDMA
  • W-CDMA
  • GSM EDGE
  • MC-GSM
  • LTE
  • WiMAX
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