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DFN1010D_3_SERIES產(chǎn)品封裝圖一
NXP產(chǎn)品 - DFN1010D_3_SERIES介紹
DFN1010D_3_SERIES - 集電極 - 發(fā)射極電壓VCEO = 30 V和60 V;集電極電流IC = 1 A和2 A。占用更小體積而實(shí)現(xiàn)的SOT23性能。

DFN1010D_3_SERIES是NXP公司的一款低壓低VCEsat (BISS)晶體管產(chǎn)品,DFN1010D_3_SERIES是集電極 - 發(fā)射極電壓VCEO = 30 V和60 V;集電極電流IC = 1 A和2 A。占用更小體積而實(shí)現(xiàn)的SOT23性能。,本站介紹了DFN1010D_3_SERIES的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等,并給出了與DFN1010D_3_SERIES相關(guān)的NXP元器件型號供參考。

DFN1010D_3_SERIES - 集電極 - 發(fā)射極電壓VCEO = 30 V和60 V;集電極電流IC = 1 A和2 A。占用更小體積而實(shí)現(xiàn)的SOT23性能。 - 低壓低VCEsat (BISS)晶體管 - 低VCEsat(BISS)晶體管 - 恩智浦, LLC

產(chǎn)品描述

低VCEsat突破性小信號(BISS)晶體管,采用無引腳中等功率DFN1010D-3 (SOT1215)表面貼裝器件(SMD)塑料封裝。

型號

集電極-發(fā)射極電壓VCEO

集電極電流IC

直流電流增益hFE,最小值/典型值(IC = 0.5 A;VCE = 2 V時(shí))

直流電流增益hFE,最小值/典型值(IC = 0.5 A;VCE = 2 V時(shí))

PBSS4130QA

30

1

230 / 380

1 A

PBSS5130QA

30

1

180 / 295

1 A

PBSS4230QA

30

2

230 / 380

1 A

PBSS5230QA

30

2

180 /295

2 A

PBSS4160QA

60

1

150 / 240

2 A

PBSS5160QA

60

1

120 /185

2 A

PBSS5260QA

60

1.7

120 / 185

1 A

PBSS4260QA

60

2

150 / 240

1 A

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢
  • 極低集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsat
  • 高集電極電流能力IC和ICM
  • 高集電極電流增益hFE(高IC時(shí))
  • 節(jié)省PCB板空間
  • 發(fā)熱量更低、能效高
  • 側(cè)面焊盤
  • 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品應(yīng)用
  • 負(fù)載開關(guān)
  • 電池驅(qū)動(dòng)設(shè)備
  • 電源管理
  • 充電電路
  • 電源開關(guān)(例如:馬達(dá)、風(fēng)扇)
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