NPIC6C596是帶存儲寄存器和開漏輸出的8位串行輸入/串行或并行輸出移位寄存器。移位寄存器和存儲寄存器都具有單獨的時鐘。該器件具有串行輸入（DS）和串行輸出（Q7S），可實現(xiàn)級聯(lián)和異步復位（MR）輸入。MR上的低電平可復位移位寄存器和存儲寄存器。數(shù)據(jù)通過SHCP輸入的從低到高轉(zhuǎn)換實現(xiàn)移位。移位寄存器的數(shù)據(jù)通過STCP輸入從低到高轉(zhuǎn)換轉(zhuǎn)移到存儲寄存器。如果將兩種時鐘連接在一起，則移位寄存器始終領先存儲寄存器一個時鐘脈沖。為在級聯(lián)應用中提供額外保持時間，串行輸出QS7在SHCP的負沿進行時鐘輸出。每當輸出使能輸入（OE）為低電平時，存儲寄存器內(nèi)的數(shù)據(jù)就可驅(qū)動輸出延伸漏極NMOS (EDNMOS)晶體管。OE上的高電平會使輸出進入高阻抗關斷狀態(tài)。OE輸入的操作不會影響寄存器的狀態(tài)。

開漏輸出為33 V/100 mA持續(xù)電流擴展漏極NMOS晶體管，后者設計用于LED等要求中等負載功率的系統(tǒng)。輸出中的集成式電壓箝位提供針對電感瞬變的保護，因此使該器件非常適用于繼電器、螺線管和其他低電流或中等電壓負載等功率驅(qū)動器應用。

• 指定溫度范圍為-40 °C至+125 °C
• 低RDSon
• 八個功率EDNMOS晶體管輸出100 mA連續(xù)電流
• 250 mA限流能力
• 輸出箝位電壓33 V
• 30 mJ雪崩能量能力
• 增強型多級級聯(lián)
• 所有寄存器通過單個輸入清零
• 低功耗
• ESD保護：
  • HBM JDS-001 2類超過2500 V
  • CDM JESD22-C101E超過1000 V

• LED標志
• 圖形狀態(tài)面板
• 故障狀態(tài)指示器