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NX3DV221GM產(chǎn)品應(yīng)用圖解:
NX3DV221GM產(chǎn)品封裝圖一
NXP產(chǎn)品 - NX3DV221GM介紹
NX3DV221GM - 帶使能端的高速USB2.0開(kāi)關(guān)

NX3DV221GM是NXP公司的一款模擬開(kāi)關(guān)產(chǎn)品,NX3DV221GM是帶使能端的高速USB2.0開(kāi)關(guān),本站介紹了NX3DV221GM的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等,并給出了與NX3DV221GM相關(guān)的NXP元器件型號(hào)供參考。

NX3DV221GM - 帶使能端的高速USB2.0開(kāi)關(guān) - 模擬開(kāi)關(guān) - 邏輯 - 恩智浦, LLC

產(chǎn)品描述

NX3DV221是高帶寬開(kāi)關(guān),設(shè)計(jì)用于切換手機(jī)和消費(fèi)電子應(yīng)用(比如手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)以及帶集線器的筆記本或帶有限USB I/O的控制器)中的高速USB?2.0信號(hào)。該開(kāi)關(guān)的寬帶寬(1?GHz)使傳輸?shù)男盘?hào)具有最小邊沿和相位失真。該器件可將差分輸出從USB主機(jī)設(shè)備多路復(fù)用到兩個(gè)對(duì)應(yīng)輸出之一。該開(kāi)關(guān)為雙向開(kāi)關(guān),在輸出處的高速信號(hào)衰減很少或根本沒(méi)有。其設(shè)計(jì)用于低位間偏斜和高通道間噪聲隔離,且兼容高速USB?2.0 (480?Mbps)等各種標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)
  • 2.3 V至3.6 V的寬電源電壓范圍
  • 開(kāi)關(guān)電壓接受高達(dá)5.5 V的信號(hào)
  • VCC = 3.6 V時(shí)的1.8 V控制邏輯
  • OE為高電平時(shí)的低功耗模式(2 μA最大)
  • 6 Ω(最大)導(dǎo)通電阻
  • 通道之間的0.1 Ω(典型值)導(dǎo)通電阻不匹配
  • 6 pF(典型值)通態(tài)電容
  • 高帶寬(1.0 GHz典型值)
  • 閉鎖性能超過(guò)100 mA,符合JESD 78B II類(lèi)A級(jí)標(biāo)準(zhǔn)
  • ESD保護(hù):
    • HBM JESD22-A114F 3A類(lèi)超過(guò)8000 V
    • CDM JESD22-C101E超過(guò)1000 V
    • HBM超過(guò)12000 V,實(shí)現(xiàn)I/O接地保護(hù)
  • 額定溫度范圍為-40 °C至+85 °C
產(chǎn)品應(yīng)用
  • 適合USB 1.0、1.1和2.0路由信號(hào)
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