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NX3L1G66產(chǎn)品應(yīng)用圖解:
NX3L1G66產(chǎn)品封裝圖一
NX3L1G66產(chǎn)品封裝圖二
NXP產(chǎn)品 - NX3L1G66介紹
NX3L1G66 - 低電阻單刀單擲模擬開關(guān)

NX3L1G66是NXP公司的一款模擬開關(guān)產(chǎn)品,NX3L1G66是低電阻單刀單擲模擬開關(guān),本站介紹了NX3L1G66的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等,并給出了與NX3L1G66相關(guān)的NXP元器件型號(hào)供參考。

NX3L1G66 - 低電阻單刀單擲模擬開關(guān) - 模擬開關(guān) - 邏輯 - 恩智浦, LLC

產(chǎn)品描述

NX3L1G66提供一個(gè)單刀單擲模擬開關(guān)功能。其具有兩個(gè)輸入/輸出端子(Y和Z)和有源高電平使能輸入引腳(E)。E為低電平時(shí),模擬開關(guān)關(guān)閉。

施密特觸發(fā)器在使能輸入(E)處工作,這使得電路在從1.4 V至4.3 V的整個(gè)VCC范圍內(nèi)容許較慢的輸入上升和下降時(shí)間。

NX3L1G66允許具有高達(dá)VCC振幅的信號(hào)從Y傳輸?shù)絑;或從Z傳輸?shù)結(jié)。其低導(dǎo)通電阻(0.5 Ω)和平坦度(0.13 Ω)確保傳輸?shù)男盘?hào)具有最小衰減和失真。

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)
  • 寬電源電壓范圍從1.4 V至4.3 V
  • 極低的導(dǎo)通電阻(峰值):
    • VCC = 1.4 V時(shí)為1.6 Ω(典型值)
    • VCC = 1.65 V時(shí)為1.0 Ω(典型值)
    • VCC = 2.3 V時(shí)為0.55 Ω(典型值)
    • VCC = 2.7 V時(shí)為0.50Ω(典型值)
    • VCC = 4.3 V時(shí)為0.50 Ω(典型值)
  • 高抗噪性
  • ESD保護(hù):
    • HBM JESD22-A114E 3A類超過7500 V
    • MM JESD22-A115-A超過200 V
    • CDM AEC-Q100-011修訂版B超過1000 V
  • 低功耗CMOS
  • 閉鎖性能超過JESD 78 II類A級(jí)規(guī)定的100 mA
  • 3.0 V TTL電平的直接接口
  • 控制輸入接受高于電源電壓的電壓
  • 高電流處理能力(3.3 V供電時(shí)有350 mA的連續(xù)電流)
  • 額定溫度范圍為-40°C至+85°C和-40°C至+125°C
產(chǎn)品應(yīng)用
  • 手機(jī)
  • PDA
  • 便攜式媒體播放器
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