NX3V1T384是低電阻單刀單擲模擬開(kāi)關(guān)。其具有兩個(gè)輸入/輸出端子（Y和Z）和有源低電平使能輸入引腳(E)。E為高電平時(shí)，模擬開(kāi)關(guān)關(guān)閉。

施密特觸發(fā)器在使能輸入(E)處工作，這使得電路容許較慢的輸入上升和下降時(shí)間。低輸入電壓閾值允許引腳E由低電平邏輯信號(hào)驅(qū)動(dòng)，而沒(méi)有顯著增加電源電流ICC。這使NX3V1T384能夠通過(guò)1.8 V的數(shù)字控制器切換4.3 V的信號(hào)，無(wú)需邏輯電平轉(zhuǎn)換。

NX3V1T384允許具有高達(dá)VCC振幅的信號(hào)從Y傳輸?shù)絑；或從Z傳輸?shù)結(jié)。其超低導(dǎo)通電阻(0.3 Ω)和平坦度(0.1 Ω)確保傳輸?shù)男盘?hào)具有最小衰減和失真。

• 寬電源電壓范圍從1.4 V至4.3 V
• 極低的導(dǎo)通電阻（峰值）：：
  • VCC = 1.4 V時(shí)為0.8 Ω（典型值）
  • VCC = 1.65 V時(shí)為0.5 Ω（典型值）
  • VCC = 2.3 V時(shí)為0.3 Ω（典型值）
  • VCC = 2.7 V時(shí)為0.25 Ω（典型值）
  • VCC = 4.3 V時(shí)為0.25 Ω（典型值）
• 高抗噪性
• ESD保護(hù)：
  • HBM JESD22-A114F 3A類(lèi)超過(guò)7500 V
  • MM JESD22-A115-A超過(guò)200 V
  • CDM AEC-Q100-011修訂版B超過(guò)1000 V
• 低功耗CMOS
• 閉鎖性能超過(guò)JESD 78B II類(lèi)A級(jí)規(guī)定的100 mA
• 啟用輸入接受高于電源電壓的電壓
• 1.8 V控制邏輯，VCC = 3.6 V
• 極低的電源電流，即便輸入低于VCC
• 高電流處理能力（3.3 V供電時(shí)500 mA的連續(xù)電流）
• 額定溫度范圍為-40°C至+85°C和-40°C至+125°C

• 手機(jī)
• PDA
• 便攜式媒體播放器