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PCA24S08A產(chǎn)品應(yīng)用圖解:
PCA24S08A產(chǎn)品封裝圖一
PCA24S08A產(chǎn)品封裝圖二
NXP產(chǎn)品 - PCA24S08A介紹
PCA24S08A - 帶有訪問(wèn)保護(hù)的1024 x 8位CMOS EEPROM

PCA24S08A是NXP公司的一款I(lǐng)2C串行EEPROM/RAM產(chǎn)品,PCA24S08A是帶有訪問(wèn)保護(hù)的1024 x 8位CMOS EEPROM,本站介紹了PCA24S08A的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等,并給出了與PCA24S08A相關(guān)的NXP元器件型號(hào)供參考。

PCA24S08A - 帶有訪問(wèn)保護(hù)的1024 x 8位CMOS EEPROM - I2C串行EEPROM/RAM - I2C - 恩智浦, LLC

產(chǎn)品描述

PCA24S08A提供8192位串行電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM),分為1024字,每個(gè)字有8位。通過(guò)串行I2C總線接收和發(fā)送數(shù)據(jù)字節(jié)。

通過(guò)I2C總線設(shè)置限制讀寫的存取權(quán)限,以防存儲(chǔ)區(qū)被非法存取。

PCA24S08A是與標(biāo)準(zhǔn)24C08串行EEPROM器件的引腳兼容而設(shè)計(jì)的,除了作為其地址引腳的引腳1、2和3以外。PCA24S08A串行EEPROM數(shù)據(jù)表中的其他例外,在第6.6節(jié)中敘述。

按與24C08串行EEPROM一致的方式,從最高有效位開(kāi)始將所有數(shù)位發(fā)送至器件或從器件讀取。本文中的位字段相應(yīng)地在左側(cè)列為MSB而右側(cè)列為L(zhǎng)SB。

EEPROM存儲(chǔ)器分為8個(gè)區(qū),每個(gè)區(qū)1 kbit(128字節(jié))。每個(gè)區(qū)內(nèi),存儲(chǔ)器物理上組織為8頁(yè),每頁(yè)128位(16字節(jié))。除這些8 kbits外,還有兩個(gè)用于儲(chǔ)存存取保護(hù)和ID信息的128位頁(yè)面。PCA24S08A中提供的EEPROM存儲(chǔ)器共有8448位。

在區(qū)1至區(qū)7上以區(qū)為基礎(chǔ)而在區(qū)0上以頁(yè)面和區(qū)為基礎(chǔ)組織存取保護(hù)(讀取和寫入)。這些區(qū)和頁(yè)面的保護(hù)信息儲(chǔ)存在EEPROM存儲(chǔ)器的其中一個(gè)額外頁(yè)面上,與主要數(shù)據(jù)存儲(chǔ)陣列分開(kāi)尋址。更多詳情,請(qǐng)參閱第6.4節(jié)。

ID值位于EEPROM的ID頁(yè)面,即另一個(gè)額外的16字節(jié)頁(yè)面上。

根據(jù)總線主器件遵守的協(xié)議,從串行接口寫入可一次包括1字節(jié)至16字節(jié)。所有頁(yè)面訪問(wèn)必須正確對(duì)應(yīng)內(nèi)部EEPROM頁(yè)面。

EEPROM存儲(chǔ)器提供每字節(jié)100,000個(gè)寫入周期的使用壽命,數(shù)據(jù)可保留10年。寫入EEPROM需要不足5 ms即可完成。

制造后,所有EEPROM位均會(huì)設(shè)為值“1”。

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)
  • 組織為8塊分別為128字節(jié)的8 kbits非易失性存儲(chǔ)器
  • I2C總線接口邏輯
  • 兼容24C08串行EEPROM,以及不帶RF接口的Atmel AT24RF08C的備用源
  • 寫入操作:
    • 字節(jié)寫入模式
    • 16字節(jié)頁(yè)面寫入模式
  • 讀取操作:
    • 連續(xù)讀取
    • 隨機(jī)讀取
  • 可編程訪問(wèn)保護(hù)以限制讀取和寫入
  • 鎖定/解鎖功能
  • 寫保護(hù)功能可防止對(duì)已滿存儲(chǔ)器陣列進(jìn)行寫入操作
  • 自定時(shí)寫入周期
  • 內(nèi)部上電復(fù)位
  • 高可靠性:
    • 十年非易失性數(shù)據(jù)保留時(shí)間
    • 承受100,000個(gè)寫入周期
  • 低功率CMOS技術(shù)
  • 2.5 V至3.6 V的工作電源電壓范圍
  • 0 Hz至400 kHz時(shí)鐘頻率
  • ESD保護(hù):按JESD22-A114超過(guò)2000 V HBM,按JESD22-A115超過(guò)200 V MM,按JESD22-C101超過(guò)1000 V CDM
  • 已按照J(rèn)EDEC標(biāo)準(zhǔn)JESD78完成閉鎖測(cè)試,超過(guò)100 mA
  • 提供封裝:SO8、TSSOP8
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