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PSMN040-100MSE產(chǎn)品應(yīng)用圖解:
PSMN040-100MSE產(chǎn)品封裝圖一
NXP產(chǎn)品 - PSMN040-100MSE介紹
PSMN040-100MSE - N溝道100 V 36.6 mΩ標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET,采用LFPAK33封裝,專為高功率PoE應(yīng)用而設(shè)計(jì)

PSMN040-100MSE是NXP公司的一款通用MOSFET產(chǎn)品,PSMN040-100MSE是N溝道100 V 36.6 mΩ標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET,采用LFPAK33封裝,專為高功率PoE應(yīng)用而設(shè)計(jì),本站介紹了PSMN040-100MSE的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等,并給出了與PSMN040-100MSE相關(guān)的NXP元器件型號(hào)供參考。

PSMN040-100MSE - N溝道100 V 36.6 mΩ標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET,采用LFPAK33封裝,專為高功率PoE應(yīng)用而設(shè)計(jì) - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦, LLC

產(chǎn)品描述

全新標(biāo)準(zhǔn)和專有方法正在實(shí)現(xiàn)以太網(wǎng)供電(PoE)系統(tǒng),該系統(tǒng)能向用電設(shè)備(PD)提供高達(dá)90W的功率。就“軟啟動(dòng)”、熱管理和功率密度要求而言,該類解決方案對(duì)供電設(shè)備(PSE)提出了更高的要求。

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)
  • 增強(qiáng)型正向偏壓安全工作區(qū),可實(shí)現(xiàn)卓越的線性模式運(yùn)行
  • 低Rdson,可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通損耗
  • 超可靠的LFPAK33封裝,可實(shí)現(xiàn)卓越的熱性能和耐用性
  • 極低IDSS
產(chǎn)品應(yīng)用
  • 高功率PoE應(yīng)用(60W及以上)
  • IEEE802.3at和專有解決方案
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