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PSMN1R4-30YLD技術(shù)文檔下載：
PSMN1R4-30YLD產(chǎn)品應(yīng)用圖解：
PSMN1R4-30YLD - N溝道30 V，1.4 mΩ邏輯電平MOSFET，采用LFPAK56封裝，使用NextPowerS3技術(shù)
PSMN1R4-30YLD是NXP公司的一款通用MOSFET產(chǎn)品，PSMN1R4-30YLD是N溝道30 V，1.4 mΩ邏輯電平MOSFET，采用LFPAK56封裝，使用NextPowerS3技術(shù)，本站介紹了PSMN1R4-30YLD的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等，并給出了與PSMN1R4-30YLD相關(guān)的NXP元器件型號供參考。
PSMN1R4-30YLD - N溝道30 V，1.4 mΩ邏輯電平MOSFET，采用LFPAK56封裝，使用NextPowerS3技術(shù) - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦, LLC
產(chǎn)品描述
邏輯電平柵極驅(qū)動N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用LFPAK56封裝。NextPowerS3產(chǎn)品組合利用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技術(shù)，提供高頻率低峰值性能，通常只有集成肖特基或類肖特基二極管的MOSFET才具有這種性能，并且沒有令人煩惱的高漏電流問題。NextPowerS3特別適合于高開關(guān)頻率下的高效應(yīng)用。
產(chǎn)品特性和優(yōu)勢
- 超低QG、QGD和QOSS，可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)高效率，尤其是在開關(guān)頻率較高時(shí)
- 帶軟恢復(fù)功能的超快速開關(guān)性能；s-factor > 1
- 針對低EMI設(shè)計(jì)的低峰值和振鈴
- 特有的“SchottkyPlus”技術(shù)；類肖特基性能：漏電流<1?μA（25?°C時(shí)）
- 最適合4.5 V柵極驅(qū)動
- 低寄生電感和電阻
- 高可靠性夾片粘合和芯片焊接Power SO8封裝；無膠合、無焊線，額定工作溫度為175?°C
- 波焊；外露引腳，可實(shí)現(xiàn)最佳焊點(diǎn)目測
產(chǎn)品應(yīng)用
- 適合服務(wù)器和電信的板載DC-DC解決方案
- 電信應(yīng)用中的次級側(cè)同步整流
- 電壓調(diào)節(jié)器模塊(VRM)
- 負(fù)載點(diǎn)(POL)模塊
- 針對V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系統(tǒng)組件的功率輸出
- 有刷與無刷馬達(dá)控制
- 電源OR-ing
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