PEMB1,115
制造廠商：NXP（恩智浦）
類別封裝：陣列﹐預偏壓式晶體管，SOT-666
技術參數：TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666
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參數詳情：
NXP恩智浦完整型號：PEMB1,115制造商：NXP（恩智浦半導體）描述：TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666系列：-晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：22k電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω)：22k不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：60 @ 5mA，5V不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）：150mV @ 500μA，10mA電流 - 集電極截止（最大值）：1μA頻率 - 躍遷：-功率 - 最大值：300mW安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：SOT-563，SOT-666供應商器件封裝：SOT-666PEMB1,115的訂貨細節(jié)及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
