PMDPB70XPE,115
制造廠商：NXP（恩智浦）
類別封裝：場效應(yīng)管陣列，6-DFN2020
技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON
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參數(shù)詳情：
NXP恩智浦完整型號：PMDPB70XPE,115制造商：NXP（恩智浦半導(dǎo)體）描述：MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON系列：-FET 類型：2 個 P 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：3A不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：79 毫歐 @ 2A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.25V @ 250μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7.5nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：600pF @ 10V功率 - 最大值：515mW安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：6-UDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：6-DFN2020（2x2）PMDPB70XPE,115的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
